АБРАМ ФЕДОРОВИЧ
ИОФФЕ
( 1880-1960 )
Биография одного из основоположников физики академика А.Ф. Иоффе
привлекает пристальное внимание историков науки.
А.Ф. Иоффе родился 29 октября 1980 г. в небольшом городке Ромны
Полтавской губернии. В Ромнах не было гимназии — имелось лишь мужское
реальное училище., в которое он и поступил. Примечательно что его
одноклассником оказался С.П. Тимошенко — впоследствии крупный механик,
иностранный член АН СССР. Физикой Иоффе заинтересовался еще в училище. Он
часто подчеркивал, что произошло это не благодаря влиянию учителей, а,
скорее, ему вопреки: уровень преподавания в училище был очень низким,
учителя были прежде всего вероподдаными чиновниками.
Как известно, до революции для поступления в университеты
необходимо было знание древних языков, которые преподавались только в
гимназиях. Поэтому по окончании реального училища А.Ф. Иоффе остановил свой
выбор на Петербургском технологическом институте, в котором, по его мнению,
в наибольшей степени можно было научиться физике. В этом институте
преподавали выдающиеся ученые, в частности И.И. Боргман, Н.А. Гезехус, Б.
Л. Розинг и др. Наряду с физикой, Иоффе много работал в области ее
биологических приложений, что в конце ХІХ — начале ХХ в. Было более чем
необычно. Хотя в научном плане эти исследования и не дали какого-либо
существенного выхода, они укрепили его в убеждении о плодотворности
приложения физики к проблемам биологии.
В Технологическом институте Иоффе занимался еще и чисто
инженерными работами, в основном во время летней практики.
По окончании Технологического института (1902 г.) А.Ф. Иоффе,
заручившись рекомендациями Н.А. Гезехуса и директора Палаты мер и весов
профессора Н.Е. Егорова, направился в Мюнхен, где в те годы работал В.К.
Рентген.
В годы работы в лаборатории Рентгена (1903-1906) А.Ф. Иоффе
выполнил ряд крупных исследований. К их числу нужно отнести прецизионный
эксперимент по определению «энергетической мощности» радия.
Работы А.Ф. Иоффе по механическим и электрическим свойствам
кристаллов, выполненные в мюнхенские годы, носили систематический характер.
В процессе их проведения на примере кристаллического кварца им был изучен и
правильно объяснен эффект упругого последействия.
Изучение электрических свойств кварца, влияния на проводимость
кристаллов рентгеновских лучей, ультрафиолетового и естественного света
привели А.Ф. Иоффе к открытию внутреннего фотоэффекта, выяснению пределов
применимости закона Ома для описания прохождения тока через кристалл и
исследованию своеобразных явлений, разыгрывающихся в приэлектродных
областях.
Все эти работы Иоффе закрепили за ним репутацию физика, глубоко
вдумывающегося в механизмы изучаемых им процессов и с исключительной
точностью проводящего опыты, расширяющие представления об атомно-
электронных явлениях в твердых телах.
А.Ф. Иоффе, отказавшись от лестного предложения Рентгена остаться в
Мюнхене — для продолжения исследований и преподавательской работе в
Мюнхенском университете, после блестящей защиты там в 1905 г. докторской
диссертации.
С 1906 г. А.Ф. Иоффе начал работу в должности старшего лаборанта в
Петербургском политехническом институте. В физической лаборатории
института, которую возглавлял В.В. Скобельцын, Иоффе в 1906-1917 гг. Были
выполнены блестящие работы по подтверждению эйнштейновской квантовой теории
внешнего фотоэффекта, доказательству зернистой природы электронного заряда,
определению магнитного поля катодных лучей (магистерская диссертация
Петербургский университет, 1913 г.). Наряду с этим А.Ф. Иоффе продолжил и
обобщал в докторской диссертации ( Петроградский университет, 1915 г. )
начатые еще в Мюнхене исследования по упругим и электрическим свойствам
кварца и некоторых других кристаллов. Академия наук, в 1914 г. наградила
А.Ф. Иоффе премией им. С.А. Иванова.
К этим важнейшим циклам исследований А.Ф. Иоффе, добавим еще два:
Одно из них — теоретическая работа ученого, посвященная тепловому
излучению, в которой получили дальнейшее развитие классические исследования
М. Планка.
Другая работа, также была выполнена им в физической лаборатории
Политехнического института в соавторстве с преподавателем этого института
М. В. Миловидовой-Кирпичевой. В работе исследовалась электропроводность
ионных кристаллов. Результаты исследований по электропроводности ионных
кристаллов были впоследствии, уже после окончания первой мировой войны, с
блеском доложены А.Ф. Иоффе на сольвеевском конгрессе 1924 г., вызвали
оживленную дискуссию у его знаменитых участников, и получили их полное
признание.
В 1926 г. Я.И. Френкель, основываясь на экспериментах А.Ф. Иоффе и
М. В. Миловидовой-Кирпичевой о тепловой диссоциации решетки, развил
кинетическую теорию явлений переноса в твердых телах и разработал в 1933 г.
дырочную теорию электропроводности полупроводников.
Наряду с интенсивной исследовательской работой, А.Ф. Иоффе много
сил и времени уделял преподаванию. Он читал лекции не только в
Политехническом институте, профессором которого стал в 1915 г., но также на
известных в городе курсах П.Ф. Лесгафта, в Горном институте и в
университете. Однако самым главным в этой деятельности Иоффе била
организация в 1916 г. семинара по новой физике при Политехническом
институте. Именно в эти годы А.Ф. Иоффе -сначала участник, а потом и
руководитель семинара — выработал тот замечательный стиль ведения такого
рода собраний, который создал ему заслуженную известность и характеризовал
его как главу школы. Семинар Иоффе в Политехническом институте по праву
считается важнейшим центром кристаллической физики.
Разработку планов физико-технического отдела будущего
Государственного рентгенологического и радиологического института взял на
себя А.Ф. Иоффе. Этот институт был создан 23 сентября 1918 г., а в 1921 г.,
его физико-технический отдел выделился в самостоятельный Государственный
физико-технический рентгенологический институт (ФТИ), который более трех
десятилетий и возглавлял А.Ф. Иоффе.
Наряду с созданием ФТИ, А.Ф. Иоффе принадлежит заслуга организации
в 1919 г. при Политехническом институте факультета нового типа: физико-
механического, деканом которого он также был более 30 лет.
Научная работа А.Ф. Иоффе была сосредоточена в стенах ФТИ, одной из
лабораторий которого он неизменно заведовал, хотя тематика ее исследований,
как и название, претерпели изменения. В 20-е годы основным направлением
работы было изучение механических и электронных свойств твердого тела.
Начало 30-х годов ознаменовалось переходом ФТИ на новую тематику.
Одним из основных направлений стала ядерная физика. А.Ф. Иоффе
непосредственно ею и занимался, но наблюдая стремительный подъем этой
области физики, быстро оценил ее грядущую роль в дальнейшем прогрессе науки
и техники. Поэтому с конца 1932 г. физика ядра прочно вошла в тематику
работ ФТИ.
С начала 30-х годов собственная научная работа А.Ф. Иоффе
сосредоточилась на другой проблеме — проблеме физики полупроводников, и его
лаборатория в ФТИ стала лабораторией полупроводников.
В 1950 г. А.Ф. Иоффе разработал теорию, на основе которой были
сформулированы требования к полупроводниковым материалам, используемым в
термобатареях и обеспечивающим получение максимального значения их КПД.
Вслед за этим в 1951 г. Л.С. Стильбансом под руководством А.Ф. Иоффе и
Ю.П. Маслаковца был разработан первый в мире холодильник. Это послужило
началом развития новой области техники — термоэлектрического охлаждения.
Соответствующие холодильники и термостаты широко применяются ныне во всем
мире для решения ряда задач в радиоэлектронике, приборостроении, медицине,
космической биологии и других областях науки и техники.
Последние годы жизни А.Ф. Иоффе прошли под знаком радостного
творчества в стенах вновь созданного им Института полупроводников. Начиная
с 1954 г. число публикаций маститого ученого в научных журналах,
отражавшего его научную активность, резко возросло. Его работоспособность
не могла не вызывать удивление и восхищение. Недаром одну из книг А.Ф.
Иоффе на тему по термоэлектричеству назвали «библией по
термоэлектричеству».
Абрам Федорович скончался 14 октября 1960 г. , две недели не дожив
до своего 80-летия. Но благодаря своим выдающимся способностям физика и
организатора науки, благодаря высоким личным качествам Абрам Федорович
Иоффе сумел создать в стенах ФТИ исключительно благоприятную почву для
быстрого созревания талантов. В этом его непреходящая заслуга перед Родиной
и наукой.2000 г.
г. Ромны
