МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНСТИТУТ
                          ЭЛЕКТРОНИКИ И МАТЕМАТИКИ
                          (технический университет)
                                        Кафедра Электроники и электротехники
                                   Доклад
            Тема: “ Усилительные каскады в области высших частот”
                                  Студент:
					







                                    Андриатис Ю.А.
                                   группа АП-52
                                    Преподаватель:
                                  Ушаков В.Н.
                                 МОСКВА 1999
      Усилительный каскад на биполярном транзисторе.
                                  EK
                                             R1                      RK
                                   РИС 1.   ПРИНЦИПИАЛЬНАЯ  СХЕМА
                                                       УСИЛИТЕЛЬНОГО  RC —
КАСКАДА
       Cк                                           НА  БИПОЛЯРНОМ
ТРАНЗИСТОРЕ
                                   ВЫХОД
                                 IBX
        C
                      RH        Uвых
ВХОД                                            CЭ
                               R2                                    RЭ
                 IBЫX
Рассматривая работу RC-каскада в области высоких частот мы можем принебречь
влиянием емкости Ск, так как с возрастанием частоты входного сигнала
сопротивление емкости Ск становится малым по сравнению с сопротивлением Rн.
Пренебрегать емкостью С(суммарная паразитная емкость каскада) в области
высоких частот нельзя.
                        РИС 2.   УПРОЩЕННАЯ    ЭКВИВАЛЕНТНАЯ     СХЕМА
УСИЛИТЕЛЬНОГО   КАСКАДА
                                             НА  БИПОЛЯРНОМ   ТРАНЗИСТОРЕ
В  ОБЛАСТИ   ВЫСШИХ   ЧАСТОТ
                             Iб
                                                             IBЫX
                        rвх                            R k         C
  RH                          Uвых
                                                     h21эIб
Из схемы находим:
            Zk = (Rk || Rн)||     1    = (Rk || Rн) * (1 / j(вС) =
                                  (j(вС)   (Rk || Rн) + (1 / j(вС)
                =         (Rk || Rн)          =      (Rk || Rн)
                     1 + j(вС(Rk || Rн)          1 +  j(в(в
где   (в = С(Rk || Rн)  — постоянная времени нагрузочной цепи
                                          (Rk || Rн)
             U2 = h21эIб Zk = h21эIб       1 +  j(в(в           U1 = Iб rвх
                          U2                (Ku)0
             (Ku)в =         =
                          U1         1 +  j(в(в
  На высших частотах происходит не только усиление сигнала но         и
появляется дополнительный фазовый сдвиг выходного сигнала относительно
входного поэтому это выражение разбивается на два:
                                 1
             (Ku)в =
                        ? 1 +  ((в(в)2
              tg ?в = – (в(в
В области высших частот характеристика будет иметь завал:
              Kв                                     ?в
                      K0          (1        (2
                                               f(()
                                                    f(()
                         (2  > (1
Равномерность частотной характеристики зависит от С. Чем меньше С тем
характеристика лучше (более равномерна).
Вообще избавиться от паразитной емкости – С невозможно. Ее можно только
уменьшить за счет рационального конструирования.
Кроме того на значение паразитной емкости влияет входная емкость следующего
каскада и для ее уменьшения надо подключать к каскаду электронные
устройства с минимальной входной емкостью.Например: эмиттерный повторитель.